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2021-09-09N型半导体
N型半导体 主要是由于电子 完全中立 I = I h和 n h >> n e 多数——电子和少数——空穴 当纯半导体（硅或锗）掺杂五价杂质（P、As、Sb、Bi）时，五个价电子中的四个电子与 Ge 或 Si 的四个电子结合。 掺杂剂的……
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2021-09-09P型半导体
P型半导体 主要是因为坑 完全中立 I = I h和 n h >> n e 多数——空穴和少数——电子 当纯半导体掺杂三价杂质（B、Al、In、Ga）时，杂质的三个价电子与半导体的四个价电子中的三个结合。 这使得杂质中没有电子……
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2021-09-09半导体的导电特性
*在纯净的半导体内部、电子载流子(简称电子)和空穴载流子(简称空穴)是成对地存在的，称“电子-空穴对”外电场作用下，空穴沿电场方向移动，电子逆电场方向动。 *半导体内部的“电子-空穴对”会随温度升高或受光照而增……
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2021-09-09PN结
将P型半导体和N型半导体用特殊工艺结合在一起时，由于P型半导体中的空穴多，N型半导体中的电子多，在交界面上，多数载流子就要分别向对方扩散，在交界处的两侧形成带电荷的薄层，称为空间电荷区，又称为PN结。
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2021-09-09PN结的单向导电性
当P接正N接负时，内电场减小，空间电荷区由于自由电子不断从N向P扩散，空穴从P向N扩散变窄，最终自由电子进入P区不断流出，空穴进入N区不断流出，即导通。 反之如果N正P负，空间电荷区越来越大，越大N的自由电……
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2021-09-09PD快充
PD快充，是由USB-IF组织制定的一种快速充电规范，是主流的快充协议之一。
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2021-09-01同步升压IC和异步升压IC有什么区别 ？
同步升压IC和异步升压的主要区别在于整流方式的不同。 同步升压IC电路采用MOS因为MOS管在开启状态下内阻极低，在整流过程中的损耗也极低，所以同步升压的效率高，发热量低。可以做大功率升压应用。异步升压IC电路……
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2021-09-01同步整流ic
功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流IC。
